村田亮相CIOE2019,硅电容新品续写精专技艺
近年来,我国光通信产业发展很快,已沦为全球仅次于的光通信市场,而光器件作为最重要组成部分,不受物联网、5G实商用等产业的驱动,给元器件涉及企业带给了极大发展机遇。作为一家基于陶瓷的无源电子元件与解决方案、通信模块和电源模块之设计、生产与销售的全球领先企业,村田致力于研发先进设备的电子材料以及领先的多功能和高密度模块。
2019年9月4-7日,第21届中国国际光电博览会(CIOE2019)在深圳会展中心盛大举行,作为极具规模及影响力的光电产业综合性展览,更有了众多展商亮相。村田制作所(中国)应邀参与“第21届中国国际光电博览会”(CIOE2019),村田此次展览的主题是“电容家族新势力:改写精专技艺”,村田带给了硅电容器以及数据中心线缆管理用RFID标签等新产品,助推光电产业发展。村田展出的5大产品1、用作高速数字芯片的弃耦电容弃耦电容是会用在弃耦电路中的电容,也叫去耦电容,弃耦电容并接于电路正负极之间,可避免电路通过电源构成的正反馈通路而引发的寄生振荡。
弃耦即避免前后电路电流大小变化时,在供电电路中所构成的电流波动对电路的长时间工作产生影响,弃耦电路需要有效地避免电路之间的宿主耦合。在本次光博会上,村田展出的打线弃耦电容WLSC/UWSC系列产品的ESR(等效电阻)、ESL(等效电感)较低,尺寸小,容量大,不具备合适打线的极致电极平缓度和长温度范围内高可靠性,更有了不少观众的目光。
据介绍,村田WLSC系列产品厚至100μm,限于于无线通信(如5G)、雷达、数据播出系统之类的RF大功率用途,可用作DC去耦、给定电路、古志谐波/噪声杂讯功能。UWSC系列专门DC去耦和旁路用途设计,在多达26GHz的频率构建了出众的静噪性能,该系列是使用深槽和MOS半导体工艺生产的,符合较低容量和高容量两方面拒绝,获取高可靠性,以及对于温度和电压的静电容量稳定性。
2、用作BGAPCB的硅电容器光通信作为现代通信的主要支柱之一,在现代电信网中起着举足轻重的起到。光通信速度每年都在显得越来越快,当通信速度超过毫米波宽带时,贴片陶瓷电容器中的插入损耗不会减少,这对硅电容器的稳定性以及可靠性拒绝也不会渐渐升高,依赖村田的硅技术开发的独有的构建无源器件和设备,可实现较低插入损耗、较低光线和低振幅稳定性,倍受市场的注目。据现场工作人员讲解,村田的高密度硅电容器通过应用于半导体MOS工艺构建三维化,大幅度减少电容器表面积,从而提升了基板单位面积的静电容量,限于于网络涉及(RF功率放大器、宽带通信)、高可靠性用途、医疗、汽车、通信等领域。村田本次展出的UBEC/BBEC/ULEC系列,反对60GHz+的映射/引线键合用硅电容器,是以光通信系统(ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品),以及高速数据系统和产品为目标,专门DC去耦和旁路用途设计的。
UBEC系列、BBEC系列、ULEC系列,分别在60+GHz、40GHz、20GHz,构建出众的静噪性能。UBEC/BBEC/ULEC系列具备极高的可靠性,以及对于温度(+60ppm/K)和电压的静电容量稳定性,而且工作温度范围宽达-55℃至150℃。
生产线使用经过多达900℃的高温热处理处置而取得的高纯度水解膜,保证高度的可靠性和重现性。此外,这些电容器反对标准的引线键合PCB(球和楔)。
这些电容器合乎RoHS标准,也能获取薄膜铝电极。据报,UBEC/BBEC/ULEC系列享有仅次于110GHz的超宽带性能,没共振,可以展开出众的群延后变化;在传输模式下,凭借出众的抗阻给定,构建极低的插入损耗;在旁路短路模式下,ESL和ESR很低,对于温度、电压、老化,静电容量值的稳定性很高,可以展开无铅转往PCB。
可用作光电产品/高速数据,跨阻放大器(TIA),光发送组件(ROSA/TOSA),实时光纤网络(SONET),高速数字逻辑,宽带测试装置,宽带微波/毫米波,X7R与NP0电容器的移位和拒绝薄型的用途(100μm)等产品中。3、差分AC耦合(用作超强宽频信号线)对于交流耦合的器件来说,就必需减少AC耦合电容,工程师展开高速串行信号设计时,都会用于到AC耦合电容。设计高速串行电路,一个小的有所不同不会引发信号完整性问题,AC耦合电容是为了使两级间更佳的通信,还可以获取直流偏压和过流的维护,村田的差分AC耦合可用作超强宽频信号线。
在村田众多硅电容器产品系列中,本次展览的XBSC/UBSC/BBSC/ULSC系列是反对最低到100GHz+的表面张贴装型硅电容器。该系列产品以光通信系统(ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品)以及高速数据系统和产品为目标,专门于隔年平、耦合用途设计的。
4、自定义化硅基板村田在展台现场还展出了应用于TOSA&ROSA的构建宽频RC的硅基板方案。
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